Рус телендәге версияМахсус проекттар
Телде алмаштырырға
РУВИКИ ТУРАҺЫНДА

Ғәлиев Ғәлиб Барый улы

РУВИКИ интернет-энциклопедияһында Ғәлиев фамилиялы башҡа кешеләр тураһында мәҡәләләр бар.

Ғәлиб Барый улы Ғәлиев (рус. Галиб Бариевич Галиев; 1947 йылдың 20 ғинуары, Ахун, Башҡорт АССР-ы) — СССР һәм Рәсәй инженеры һәм ғалимы, ярымүткәргестәр физикаһы, микроэлектроника һәм наноэлектроника өлкәһе белгесе, физика-математика фәндәре докторы. Рәсәй Фәндәр академияһының В. Г. Мокеров исемендәге үтә юғары йышлыҡлы ярымүткәргес электроникаһы институтының 101-се лабораторияһы баш ғилми хеҙмәткәре, институттың ғилми советы ағзаһы[1].

Биографияһы

1966 йылда Ғ. Б. Ғәлиев Учалы районының Ахун урта мәктәбен алтын миҙал менән тамамлай. 1966–1973 йылдарҙа Мәскәү электрон техника институтының физика-техника факультеты көндөҙгө бүлегендә уҡый һәм уны «автоматика һәм электроника» һөнәре буйынса тамамлай[2].

1973–1975 йылдарҙа СССР Электрон сәнәғәт министрлығының Физик проблемалар ғилми-тикшеренеү институтында (Зеленоград) инженер булып эшләй. 1975–1990 йылдарҙа СССР Электрон сәнәғәт министрлығының Молекуляр электроника ғилми-тикшеренеү институтында инженер, өлкән инженер, төп инженер һәм өлкән ғилми хеҙмәткәр вазифаларын биләй. 1990–2002 йылдарҙа Рәсәй Фәндәр академияһының Радиотехника һәм электроника институтында өлкән ғилми хеҙмәткәр, лаборатория мөдире вазифаһын башҡарыусы һәм лаборатория мөдире була.

2003 йылдан Ғ. Б. Ғәлиев Рәсәй Фәндәр академияһының Үтә юғары йышлыҡлы ярымүткәргес электроникаһы институтында эшләй, унда лаборатория мөдире һәм баш ғилми хеҙмәткәр вазифаларын биләй. 2018 йылдың 23 ғинуарында конкурс йомғаҡтары буйынса ул AIIIBV ҡушылмаларының наногетероструктураларында түбән үлсәмле электрон системалар формалашыу процестарын тикшереү лабораторияһының баш ғилми хеҙмәткәре итеп һайлана; 2018 йылдың 1 февралендә уның менән һөҙөмтәле контракт төҙөлә[3]. Институттың ғилми советының ғәмәлдәге составында Ғәлиев физика-математика фәндәре докторы һәм 101-се лабораторияның баш ғилми хеҙмәткәре итеп күрһәтелгән[1].

1987 йылда Ғ. Б. Ғәлиев ярымүткәргес структураларҙың параметрҙарын тикшереү һәм контролдә тотоу өсөн яҡтылыҡты электр сағылдырыу спектроскопияһы ысулын эшләгәне өсөн физика-математика фәндәре кандидаты ғилми дәрәжәһен ала. 1990 йылда уға өлкән ғилми хеҙмәткәр ғилми исеме бирелә. 2004 йылда төрлө йүнәлештәге GaAs нигеҙҙәрендә гетероструктуралы һәм δ-легирланған квант соҡорҙары нигеҙендәге түбән үлсәмле системаларҙың молекуляр-нурлы эпитаксияһы өлкәһендәге тикшеренеүҙәре өсөн физика-математика фәндәре докторы ғилми дәрәжәһен ала[2].

Ғилми эшмәкәрлеге

Ғ. Б. Ғәлиев тикшеренеүҙәренең төп йүнәлеше — молекуляр-нурлы эпитаксия ысулы менән ярымүткәргес гетеро- һәм наноструктуралар алыу һәм уларҙы өйрәнеү. Уның хеҙмәттәрендә AIIIBV ҡушылмалары нигеҙендәге структуралар, квант соҡорҙары, метаморфик InAlAs/InGaAs-гетероструктуралар һәм үтә юғары йышлыҡлы приборҙар өсөн материалдар ҡарала[2].

Ғ. Б. Ғәлиев кремний менән ике яҡлы δ-легирланған псевдоморфик AlGaAs/InGaAs/AlGaAs-гетероструктураларҙы тикшереүҙә ҡатнаша. Хеҙмәт авторҙары төрлө кимәлдә легирлау шарттарында молекуляр-нурлы эпитаксия ысулы менән үҫтерелгән өлгөләрҙең электр һәм структур характеристикаларын, шулай уҡ үлсәмле квантлау аҫҡы зоналары тулған саҡта электрондар концентрацияһының һәм хәрәкәтсәнлегенең үҙгәреүен өйрәнә[4].

Ғ. Б. Ғәлиев ҡатнашлығындағы икенсе хеҙмәттә InP нигеҙҙәрендә молекуляр-нурлы эпитаксия ысулы менән үҫтерелгән InGaAs/InAlAs HEMT-структураларында индий миҡдарының электрондар хәрәкәтсәнлегенә һәм уларҙың эффектив массаһына йоғонтоһо өйрәнелә. Авторҙар квант соҡорондағы индий миҡдары артҡан һайын электрондарҙың эффектив массаһы кәмеүен, ә киңерәк һәм тәрәнерәк квант соҡорҙарының заряд йөрөтөүселәрҙең юғарыраҡ хәрәкәтсәнлеге менән ҡылыҡһырланыуын асыҡлай[5].

Ғ. Б. Ғәлиев «Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника» фәнни-техник журналының мөхәрририәт советы составына инә[2].

Ғилми кадрҙар әҙерләү

Ғ. Б. Ғәлиев 16 диплом эшенә һәм өс техник фәндәр кандидатының эшенә етәкселек итә. Белешмә баҫылған ваҡытта уның етәкселегендә ике студент һәм дүрт аспирант эшләй.

Ғ. Б. Ғәлиев Алексей Николаевич Клочковтың «Ҡушма һәм метаморфик квант соҡорло модуляциялы-легирланған InGaAs/InAlAs гетероструктураларының электрон спектрын һәм фотолюминесцент үҙенсәлектәрен тикшереү» темаһына физика-математика фәндәре кандидаты ғилми дәрәжәһенә дәғүә итеү өсөн әҙерләгән диссертацияһының ғилми етәксеһе була[6].

Ғилми хеҙмәттәре

Ғ. Б. Ғәлиев 180-дән ашыу ғилми хеҙмәт баҫтыра, алты авторлыҡ таныҡлығы ала һәм 2010 йылда Мәскәүҙә «Техносфера» нәшриәтендә баҫылған «Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике» монографияһының авторҙашы булып тора[2].

Институттың интеллектуаль эшмәкәрлек һөҙөмтәләренең рәсми исемлегендә Ғәлиев Рәсәй Федерацияһының түбәндәге патенттары авторҙары араһында күрһәтелгән:

  • 2013 йылдың 10 февралендәге № 2474923 «Полупроводниковая метаморфная наногетероструктура InAlAs/InGaAs» патенты[7];
  • 2013 йылдың 10 февралендәге № 2474924 «Полупроводниковая наногетероструктура InAlAs/InGaAs с метаморфным буфером» патенты[7];
  • 2016 йылдың 28 мартындағы № 2581744 «Способ определения параметров решётки в выбранной малой области эпитаксиального слоя с градиентом химического состава» патенты[7];
  • 2016 йылдың 1 апрелендәге № 2582440 «Полупроводниковая транзисторная наногетероструктура на подложке GaAs с модифицированным стоп-слоем AlxGa1−xAs» патенты[7];
  • 2017 йылдың 8 февралендәге № 2610222 «Материал для фотопроводящих антенн» патенты[7];
  • 2017 йылдың 4 июлендәге № 2624612 «Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» патенты[7];
  • 2018 йылдың 30 октябрендәге № 2671286 «Полупроводниковая структура для фотопроводящих антенн» патенты[7].

Иҫкәрмәләр

  1. ↑ 1 2 Учёный совет. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук. Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.
  2. ↑ 1 2 3 4 5 Галиев Галиб Бариевич. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук. Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.
  3. ↑ Заключены эффективные контракты в результате избрания по конкурсу на соответствующие должности научных работников. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (1 февраль 2018). Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.
  4. ↑ Vasil’evskiĭ, I. S.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A.; Mokerov, V. G.; Shirokov, S. S.; Imamov, R. M.; Subbotin, I. A. Electrical and structural properties of PHEMT heterostructures based on AlGaAs/InGaAs/AlGaAs and δ-doped on two sides (ингл.). Springer Nature (1 сентябрь 2008). Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.
  5. ↑ Yuzeeva, N. A.; Sorokoumova, A. V.; Lunin, R. A.; Oveshnikov, L. N.; Galiev, G. B.; Klimov, E. A.; Lavruchin, D. V.; Kulbachinskii, V. A. Electron Mobilities and Effective Masses in InGaAs/InAlAs HEMT Structures with High In Content (ингл.). Springer Nature (22 март 2016). Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.
  6. ↑ Клочков Алексей Николаевич. Исследование электронного спектра и фотолюминесцентных свойств модулированно-легированных гетероструктур InGaAs/InAlAs с составными и метаморфными квантовыми ямами. Институт радиотехники и электроники имени В. А. Котельникова Российской академии наук (2015). Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.
  7. ↑ 1 2 3 4 5 6 7 Интеллектуальная собственность. Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В. Г. Мокерова Российской академии наук. Мөрәжәғәт итеү датаһы: 25 август 2026.

Әҙәбиәт

  • Наноструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике. — М.: Техносфера, 2010.

Һылтанмалар

Категориялар